霍爾效應實驗儀  型號:KM1-FB510

霍爾效應實驗儀（線圈型）
一、概述：將一個長方體狀半導體放置于均勻磁場B中，如果在這個矩形樣品中通以強度為I的電流，那么就會因為霍爾效應而在這個樣品的垂直于電流和磁場的方向上產(chǎn)一個一定大小的電勢差，即為霍爾電壓。了解霍耳效應的實驗原理，實驗儀采用C型電磁鐵產(chǎn)生穩(wěn)恒磁場，使用砷化鎵（GaAs）霍爾傳感器測量霍爾元件的靈敏度，并學會用霍爾元件測量磁感應強度的方法。
二、實驗內(nèi)容：
1、判斷霍爾元件導電類型，測定材料的霍爾系數(shù)和電導率，并計算其載流子濃度和遷移率；
2、研究霍爾電壓與勵磁電流、工作電流間的關(guān)系；
3、利用霍爾效應測量線圈氣隙中磁感應強度B及其分布；
4、學習用“對稱交換測量法"消除副作用產(chǎn)生的系統(tǒng)誤差。
5、直流磁場情況下的霍耳效應與霍耳元件的靈敏度測量。
6、交流霍耳電流IH測磁場

霍爾效應實驗儀  型號:KM1-FB510

三、主要技術(shù)參數(shù)：
1、測試儀提供二組穩(wěn)壓恒流源：
①勵磁電源：電壓27V，IM=0～1000mA，電流值由三位半數(shù)字式電流表顯示，連續(xù)可調(diào)，小分辨率為1mA。
②霍爾元件工作電源（恒流）：12V，IS=0～5mA，連續(xù)可調(diào)，三位半數(shù)顯 。③霍爾電壓表量程： 0～1999.9mV、0～199.99mV；量程自動切換，小分辨率0.01mV；四位半數(shù)字顯示。
2、亥姆霍茲線圈：半徑 R=51mm，單線圈匝數(shù)1400匝，間距L=R；
3、（GaAs）霍爾傳感器，N型，磁場測量范圍 ：-67～+67mT；霍爾靈敏度：190～230（mV/mA·T）；
4、二維移動支架：0～50mm，0～30mm，
5、換向開關(guān)：由繼電器和按鈕開關(guān)組成，位置由發(fā)光二極管指示；
6、測試毫伏表設計有調(diào)零旋鈕，通過它可把不等勢值電壓消除.
7、電源采用恒流源電路，并帶有自動電路識別功能，有霍爾片、電壓表保護電路。